HT6256DC备选型号: 71256S35TDB

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  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Honeywell Aerospace
    IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP
    8 Weeks
    通孔
    28-CDIP (0.600, 15.24mm)
    28-CDIP
    Volatile
    -55°C~225°C TA
    Bulk
    HTMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    225°C
    -55°C
    4.5V~5.5V
    20MHz
    Parallel
    256Kb 32K x 8
    20MHz
    50ns
    SRAM
    Parallel
    50ns
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 35ns 28-Pin CDIP
    10 Weeks
    -
    CDIP
    -
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    Bulk
    -
    2011
    活跃
    -
    125°C
    -55°C
    5V
    -
    Parallel
    32kB
    -
    35 ns
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    28
    1
    15b
    256 kb
    5.5V
    4.5V
    37.72mm
    7.62mm
    3.56mm
    无
    含铅
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