HUF75333P3备选型号: IRFZ44ZPBF
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- 底架
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB通孔通孔TO-220-33TO-220-366A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C55V60ASingle150WN-Channel16mOhm @ 66A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V85nC @ 20V55ns55V±20V25 ns66A4V20V55V1.3nF16mOhm16 mΩ无SVHC符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB通孔通孔TO-220-33-51A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1999活跃1 (Unlimited)--55V51ASingle80WN-Channel13.9m Ω @ 31A, 10V4V @ 250μA1420pF @ 25V43nC @ 10V68ns-±20V41 ns51A4V20V55V---无SVHCROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON3EAR9913.9OhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE增强型MOSFETDRAIN14 nsSWITCHINGTO-220AB200A55V86 mJ35 ns4 V9.65mm10.668mm4.826mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFP70N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Transistor RFP70N06 N-Channel MOSFET 60 Volt 70 Amp TO-220AB | 对比 | |
![]() | IRFZ48NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRFZ48VPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB | 对比 |



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