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首页 全部分类 HUF75333P3 vs IRFZ48VPBF

HUF75333P3备选型号: IRFZ48VPBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUF75333P3
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    66A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    55V
    60A
    Single
    150W
    N-Channel
    16mOhm @ 66A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    85nC @ 20V
    55ns
    55V
    ±20V
    25 ns
    66A
    4V
    20V
    55V
    1.3nF
    16mOhm
    16 mΩ
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ48VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    72A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    60V
    72A
    Single
    150W
    N-Channel
    12m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    1985pF @ 25V
    110nC @ 10V
    200ns
    -
    ±20V
    166 ns
    72A
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    14 Weeks
    SILICON
    e3
    3
    通孔
    EAR99
    12MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250
    30
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.6 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    290A
    60V
    100 ns
    4 V
    8.77mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无
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