HUF75637P3备选型号: IRF540ZPBF

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  • 电压 - 额定直流
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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 正向电压
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220-3
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    100V
    44A
    Single
    155W
    N-Channel
    30mOhm @ 44A, 10V
    4V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    108nC @ 20V
    75ns
    100V
    ±20V
    61 ns
    44A
    20V
    100V
    1.7nF
    30mOhm
    30 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100V
    36A
    Single
    92W
    N-Channel
    26.5m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    1770pF @ 25V
    63nC @ 10V
    51ns
    -
    ±20V
    39 ns
    36A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    3
    SILICON
    e3
    3
    通孔
    EAR99
    26.5Ohm
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250
    30
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    1.3V
    4V
    TO-220AB
    100V
    50 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
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