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HUF75639P3备选型号: IRF1310NPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 螺纹距离
- 通道数量
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
MOSFET N-CH 100V 56A TO-220ABACTIVE (Last Updated: 3 days ago)9 WeeksTin通孔通孔TO-220-331.8gSILICON56A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9925mOhm100V56ASingle增强型MOSFET200WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 56A, 10V4V @ 250μA2000pF @ 25V130nC @ 20V60ns±20V25 ns56A4VTO-220AB20V100V9.4mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB-12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33-SILICON42A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1998--活跃1 (Unlimited)3EAR99-100V42ASingle增强型MOSFET160WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING36m Ω @ 22A, 10V4V @ 250μA1900pF @ 25V110nC @ 10V56ns±20V40 ns42A2VTO-220AB20V100V19.8mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY2.54mm1100V420 mJ270 ns175°C4 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB | 对比 |
| IRF3710PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB | 对比 |
| FQP70N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 | 对比 |
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