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首页 全部分类 HUF76609D3ST vs IRLR120NTRPBF

HUF76609D3ST备选型号: IRLR120NTRPBF

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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUF76609D3ST
    ON Semiconductor
    N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 10A, 165mO
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    160mOhm
    100V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    10A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    49W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    425pF @ 25V
    16nC @ 10V
    41ns
    ±16V
    28 ns
    10A
    TO-252AA
    16V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR120NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    185mOhm
    100V
    鸥翼
    260
    -
    11A
    30
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    35ns
    ±16V
    22 ns
    10A
    TO-252AA
    16V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    SMD/SMT
    雪崩 额定
    1
    2V
    100V
    85 mJ
    160 ns
    175°C
    2 V
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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