HUFA75332S3S备选型号: AUIRFS3806

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  • 电压 - 额定直流
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK (TO-263AB)
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    55V
    60A
    Single
    145W
    N-Channel
    19mOhm @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    85nC @ 20V
    55ns
    55V
    ±20V
    25 ns
    60A
    20V
    55V
    1.3nF
    19mOhm
    19 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    71W
    N-Channel
    15.8m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 50μA
    1150pF @ 50V
    30nC @ 10V
    40ns
    -
    ±20V
    47 ns
    43A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.3 ns
    SWITCHING
    2V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
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