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首页 全部分类 HUFA75617D3S vs FDD3510H

HUFA75617D3S备选型号: FDD3510H

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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUFA75617D3S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    16A
    Single
    64W
    N-Channel
    90m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    570pF @ 25V
    39nC @ 20V
    35ns
    ±20V
    28 ns
    16A
    20V
    100V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD3510H
    ON Semiconductor
    MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    4.3A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    3.1W
    N and P-Channel, Common Drain
    80m Ω @ 4.3A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 40V
    18nC @ 10V
    3ns
    -
    5 ns
    2.8A
    20V
    80V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    4
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    1.3W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    4.3A
    37 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
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