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首页 全部分类 HUFA75617D3S vs IPD180N10N3GBTMA1

HUFA75617D3S备选型号: IPD180N10N3GBTMA1

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  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    HUFA75617D3S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    16A
    Single
    64W
    N-Channel
    90m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    570pF @ 25V
    39nC @ 20V
    35ns
    ±20V
    28 ns
    16A
    20V
    100V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD180N10N3GBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    18m Ω @ 33A, 10V
    3.5V @ 33μA
    1800pF @ 50V
    25nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    e3
    no
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    100V
    TO-252AA
    43A
    0.018Ohm
    172A
    100V
    50 mJ
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