HUFA76609D3ST备选型号: NTD4809NAT4G
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6310A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002Obsolete1 (Unlimited)100V10ASingle49WN-Channel160m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA425pF @ 25V16nC @ 10V18ns±16V39 ns10A16V100V符合RoHS标准无铅--------
- MOSFET N-CH 30V 9A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-639.6A Ta 58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2007Obsolete1 (Unlimited)---1.3WN-Channel9mOhm @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1456pF @ 12V13nC @ 4.5V-±20V-11.5A20V-符合RoHS标准-3DPAK175°C-55°C30V1.456nF9 mΩ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76629D3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK | 对比 |
| NTD4809NAT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK | 对比 |



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