ON Semiconductor NTD4809NAT4G
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NTD4809NAT4G
1807-NTD4809NAT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
1最小包装量--
NTD4809NAT4G详情
ON Semiconductor NTD4809NAT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.6A Ta 58A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 11.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta 52W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.3W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1456pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
11.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
1.456nF
最大rds
9 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
NTD4809NAT4G拓展信息
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