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首页 全部分类 IGW30N100TFKSA1 vs IRG7PG35U-EPBF

IGW30N100TFKSA1备选型号: IRG7PG35U-EPBF

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 接通时间
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • Infineon Technologies
    IGW30N100TFKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    412W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    Standard
    412W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.9V
    60A
    TO-247AD
    1000V
    54 ns
    1.9V @ 15V, 30A
    569 ns
    沟渠现场停车
    217nC
    90A
    33ns/535ns
    3.8mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PG35U-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1000V 55A 210W TO247AD
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    1kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    210W
    -
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    210W
    -
    -
    2.2V
    55A
    -
    1000V
    -
    2.2V @ 15V, 20A
    -
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    unknown
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