STMicroelectronics STGWA30N120KD
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STGWA30N120KD
2381-STGWA30N120KD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
1最小包装量--
STGWA30N120KD详情
STMicroelectronics STGWA30N120KD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
Test Conditions
960V, 20A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~125°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
220W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGWA30
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
输入类型
Standard
功率 - 最大
220W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
3.85V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
84 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
57 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.85V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
756 ns
闸门收费
105nC
集极脉冲电流(Icm)
100A
Td(开/关)@25°C
36ns/251ns
开关能量
2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWA30N120KD拓展信息
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