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首页 全部分类 IGW75N65H5XKSA1 vs FGH50T65UPD

IGW75N65H5XKSA1备选型号: FGH50T65UPD

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  • 开关能量
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  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • HTS代码
  • 上升时间-最大值
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IGW75N65H5XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    650V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    395W
    未说明
    未说明
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    395W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    61 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    232 ns
    Trench
    160nC
    300A
    28ns/174ns
    2.25mJ (on), 950μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH50T65UPD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W
    50 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    340W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    340W
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    650V
    100A
    101 ns
    2.3V @ 15V, 50A
    185 ns
    沟渠现场停车
    230nC
    150A
    32ns/160ns
    2.7mJ (on), 740μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    2.1V
    8541.29.00.95
    77ns
    53 ns
    TO-247AB
    25V
    7.5V
    29ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
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