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首页 全部分类 IHW20N65R5XKSA1 vs NGTB35N65FL2WG

IHW20N65R5XKSA1备选型号: NGTB35N65FL2WG

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  • 无卤素
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  • 接通时间
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  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IHW20N65R5XKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 650V 40A 150W TO247
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    650V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150W
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    Single
    Standard
    150W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    650V
    40A
    68 ns
    38 ns
    1.7V @ 15V, 20A
    310 ns
    97nC
    60A
    24ns/250ns
    300μJ (on), 70μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB35N65FL2WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
    21 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    300W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    300W
    -
    -
    -
    650V
    70A
    68 ns
    -
    2V @ 15V, 35A
    -
    125nC
    120A
    72ns/132ns
    840μJ (on), 280μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    3
    38.000013g
    2.2V
    沟渠现场停车
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
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