ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

21 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Test Conditions

400V, 35A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

300W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

300W

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

68 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 35A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

125nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

72ns/132ns

开关能量

840μJ (on), 280μJ (off)

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅