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首页 全部分类 IHW30N135R3FKSA1 vs FGH30S130P

IHW30N135R3FKSA1备选型号: FGH30S130P

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 质量
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  • 终止次数
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  • Reach合规守则
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
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  • Infineon Technologies
    IHW30N135R3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.35kV
    1.85V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    349W
    未说明
    未说明
    Single
    175W
    Standard
    349W
    N-CHANNEL
    1.35kV
    60A
    1350V
    1.85V @ 15V, 30A
    Trench
    263nC
    90A
    -/337ns
    1.93mJ (off)
    20V
    6.4V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH30S130P
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1300V 30A FS SA Trench IGBT
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.3kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    500W
    未说明
    未说明
    Single
    -
    Standard
    500W
    N-CHANNEL
    1.3kV
    60A
    1300V
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    78nC
    90A
    -
    -
    25V
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6.39g
    SILICON
    3
    8541.29.00.95
    not_compliant
    COLLECTOR
    电源控制
    TO-247AB
    413 ns
    905 ns
    210ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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