ON Semiconductor NGTB30N120FL2WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Test Conditions

600V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

452W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

452W

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

240 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 30A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

220nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

98ns/210ns

开关能量

2.6mJ (on), 700μJ (off)

高度

21.4mm

长度

16.25mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅