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首页 全部分类 IHW30N135R3FKSA1 vs STGW30NC120HD

IHW30N135R3FKSA1备选型号: STGW30NC120HD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
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  • 晶体管应用
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  • 接通时间
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IHW30N135R3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.35kV
    1.85V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    349W
    未说明
    未说明
    Single
    175W
    Standard
    349W
    N-CHANNEL
    1.35kV
    60A
    1350V
    1.85V @ 15V, 30A
    Trench
    263nC
    90A
    -/337ns
    1.93mJ (off)
    20V
    6.4V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    2.75V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    220W
    -
    -
    Single
    220W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    1200V
    2.75V @ 15V, 20A
    -
    110nC
    -
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    5.75V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    SILICON
    3
    1.2kV
    30A
    STGW30
    3
    29 ns
    电源控制
    11ns
    152ns
    41 ns
    30A
    928 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
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