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首页 全部分类 IKD06N60RAATMA1 vs IRGR4045DTRPBF

IKD06N60RAATMA1备选型号: IRGR4045DTRPBF

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  • 开关能量
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  • 基本部件号
  • 上升时间-最大值
  • 元素配置
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
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  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IKD06N60RAATMA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 12A 100W TO252
    14 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    600V
    2012
    TrenchStop™
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~175°C TJ
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    低导通损耗
    100W
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    100W
    GENERAL PURPOSE
    N-CHANNEL
    2.1V
    12A
    68 ns
    600V
    22 ns
    2.1V @ 15V, 6A
    335 ns
    沟渠现场停车
    48nC
    18A
    12ns/127ns
    110μJ (on), 220μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGR4045DTRPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 12A 77W DPAK
    19 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    600V
    2012
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    77W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    77W
    -
    N-CHANNEL
    2V
    12A
    74 ns
    -
    -
    2V @ 15V, 6A
    -
    Trench
    19.5nC
    18A
    27ns/75ns
    56μJ (on), 122μJ (off)
    符合RoHS标准
    3
    1.7V
    IRGR4045
    15ns
    Single
    20V
    6.5V
    22ns
    无SVHC
    无
    无铅
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