IKW50N65H5FKSA1备选型号: IRGP6650D-EPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 功率 - 最大
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS14 Weeks通孔通孔TO-247-33650V1.65V-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)305W未说明未说明Single305WStandard1.65V80A57 ns2.1V @ 15V, 50A120nC150A21ns/180ns520μJ (on), 180μJ (off)UnknownROHS3 Compliant无铅--
- IGBT 600V 50A TO247AD-通孔通孔TO-247-33600V1.65V-40°C~175°C TJTube-2014--Obsolete1 (Unlimited)EAR99-306W未说明未说明Single-Standard1.95V80A50 ns1.95V @ 15V, 35A75nC105A40ns/105ns300μJ (on), 630μJ (off)-符合RoHS标准-6.500007g306W
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | 对比 |
![]() | IRGP6650DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 306W TO247AC | 对比 |
![]() | IRGP6650D-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 50A TO247AD | 对比 |






哦! 它是空的。