IKW50N65H5FKSA1备选型号: STGW40H65DFB
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- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS14 Weeks通孔通孔TO-247-33650V1.65V-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)305W未说明未说明Single305WStandard1.65V80A57 ns2.1V @ 15V, 50A120nC150A21ns/180ns520μJ (on), 180μJ (off)UnknownROHS3 Compliant无铅----------
- IGBT 650V 80A 283W TO-24720 Weeks通孔通孔TO-247-33650V1.8V-55°C~175°C TJTube----活跃1 (Unlimited)EAR99-283W未说明未说明Single-Standard650V80A62 ns2V @ 15V, 40A210nC160A40ns/142ns498μJ (on), 363μJ (off)-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)38.000013gSTGW40283WN-CHANNEL沟渠现场停车20V20.15mm15.75mm5.15mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | 对比 |
![]() | IRGP6650DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 306W TO247AC | 对比 |
![]() | IRGP6650D-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 50A TO247AD | 对比 |






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