IKW75N60H3FKSA1备选型号: STGW60V60DF
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- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
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- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 功率耗散
- 栅极-发射极电压-最大值
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-24714 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V2.3V-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2005e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)428W未说明未说明SingleCOLLECTORStandard428W电源控制N-CHANNEL600V80A190 ns2.3V @ 15V, 75A沟渠现场停车470nC225A31ns/265ns3mJ (on), 1.7mJ (off)20.7mm15.87mm5.31mmROHS3 Compliant无铅-----
- IGBT 600V 80A 375W TO24720 Weeks通孔通孔TO-247-33-600V2.35V-55°C~175°C TJTube----活跃1 (Unlimited)-EAR99-375W--Single-Standard--N-CHANNEL600V80A74ns2.3V @ 15V, 60A沟渠现场停车334nC240A60ns/208ns750μJ (on), 550μJ (off)20.15mm15.75mm5.15mmROHS3 Compliant无铅STGW60375W20V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40N60SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 | 对比 | |
![]() | STGW60V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 375W TO247 | 对比 |
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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