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IMD16AT108备选型号: IMD10AT108

IMD16AT108

ROHM Semiconductor

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

13 Weeks
表面贴装
表面贴装
SC-74, SOT-457
6
50V
300mV
Tape & Reel (TR)
2005
e1
yes
活跃
1 (Unlimited)
6
EAR99
锡银铜
150°C
-55°C
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
50V
300mW
鸥翼
260
500mA
10
MD16A
6
100mA
50V
NPN, PNP
2
Dual
300mW
SWITCHING
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
300mV
500mA
100 @ 1mA 5V / 82 @ 50mA 5V
300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100μA, 1mA
250MHz
50V
250MHz
5V
100k Ω, 2.2k Ω
100mA
22k Ω
1.1mm
2.9mm
1.6mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
IMD10AT108

ROHM Semiconductor

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

13 Weeks
表面贴装
表面贴装
SC-74, SOT-457
74
50V
300mV
Tape & Reel (TR)
2005
e1
yes
活跃
1 (Unlimited)
6
EAR99
锡银铜
150°C
-55°C
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
-
300mW
鸥翼
260
100mA
10
MD10A
6
500mA
50V
NPN, PNP
-
Dual
300mW
SWITCHING
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
300mV
500mA
100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V
300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
250MHz
50V
250MHz 200MHz
5V
10k Ω, 100 Ω
-500mA
10k Ω
1.1mm
2.9mm
1.6mm
-
无
ROHS3 Compliant
无铅
Copper, Silver, Tin
8541.21.00.75
R-PDSO-G6
500nA
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IMD10AT108	ROHM Semiconductor	晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6	对比
	DTD113ZKT146	ROHM Semiconductor	晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	对比