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首页 全部分类 IPA041N04NGXKSA1 vs IPP80N03S4L04AKSA1

IPA041N04NGXKSA1备选型号: IPP80N03S4L04AKSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容
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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPA041N04NGXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V TO220-3
    13 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    PG-TO220-FP
    35W Tc
    4V @ 45μA
    OptiMOS™
    2013
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    16 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 70A, 10V
    无卤素
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    3.8ns
    40V
    ±20V
    4.8 ns
    70A
    20V
    40V
    4.5nF
    3.5mOhm
    4.1 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N03S4L04AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    80A Tc
    2.2V @ 45μA
    OptiMOS™
    2010
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    9 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    5100pF @ 25V
    75nC @ 10V
    6ns
    -
    ±16V
    7 ns
    80A
    16V
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    含铅
    SILICON
    3
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    TO-220AB
    95 mJ
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