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首页 全部分类 IPA60R120C7XKSA1 vs FDPF12N60NZ

IPA60R120C7XKSA1备选型号: FDPF12N60NZ

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  • 无铅
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  • 引脚数
  • 质量
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  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPA60R120C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    SILICON
    11A Tc
    2008
    CoolMOS™ C7
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 390μA
    无卤素
    1500pF @ 400V
    34nC @ 10V
    ±20V
    11A
    TO-220AB
    600V
    0.12Ohm
    66A
    78 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF12N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
    7 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    SILICON
    12A Tc
    2013
    UniFET-II™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    1676pF @ 25V
    34nC @ 10V
    ±30V
    12A
    TO-220AB
    -
    0.65Ohm
    48A
    565 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    3
    2.27g
    e3
    EAR99
    Single
    39W
    25 ns
    110ns
    130 ns
    30V
    600V
    无
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