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首页 全部分类 IPA60R120C7XKSA1 vs IPA60R099C7XKSA1

IPA60R120C7XKSA1备选型号: IPA60R099C7XKSA1

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Infineon Technologies
    IPA60R120C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    SILICON
    11A Tc
    2008
    CoolMOS™ C7
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 390μA
    无卤素
    1500pF @ 400V
    34nC @ 10V
    ±20V
    11A
    TO-220AB
    600V
    0.12Ohm
    66A
    78 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R099C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    SILICON
    12A Tc
    2015
    CoolMOS™ C7
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 9.7A, 10V
    4V @ 490μA
    无卤素
    1819pF @ 400V
    42nC @ 10V
    ±20V
    12A
    TO-220AB
    600V
    0.099Ohm
    83A
    97 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
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