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首页 全部分类 IPA60R120C7XKSA1 vs IPA60R280P6XKSA1

IPA60R120C7XKSA1备选型号: IPA60R280P6XKSA1

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  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
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  • 通道数量
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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPA60R120C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    SILICON
    11A Tc
    2008
    CoolMOS™ C7
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 390μA
    无卤素
    1500pF @ 400V
    34nC @ 10V
    ±20V
    11A
    TO-220AB
    600V
    0.12Ohm
    66A
    78 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    -
    13.8A Tc
    2008
    CoolMOS™ P6
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    280mOhm @ 5.2A, 10V
    4.5V @ 430μA
    无卤素
    1190pF @ 100V
    25.5nC @ 10V
    ±20V
    13.8A
    -
    600V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    32W
    12 ns
    6ns
    600V
    6 ns
    20V
    1.19nF
    252mOhm
    280 mΩ
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