IPA80R1K4CEXKSA1备选型号: STP4NK80ZFP

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin TO-220FP Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    2.8A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2015
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 2.3A, 10V
    3.9V @ 240μA
    570pF @ 100V
    23nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    12 ns
    2.8A
    TO-220AB
    20V
    12A
    800V
    170 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 1.5A, 10V
    4.5V @ 50μA
    575pF @ 25V
    22.5nC @ 10V
    12ns
    -
    ±30V
    32 ns
    3A
    TO-220AB
    30V
    12A
    -
    190 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    e3
    EAR99
    3.5Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    雪崩 额定
    STP4N
    3
    Single
    25W
    3A
    800V
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
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