Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA1

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

32W Tc

Turn Off Delay Time

72 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 3.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

785pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

800V

RoHS状态

ROHS3 Compliant