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首页 全部分类 IPA80R450P7XKSA1 vs IPA60R330P6XKSA1

IPA80R450P7XKSA1备选型号: IPA60R330P6XKSA1

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPA80R450P7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 800V 11A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    不适用
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 4.5A, 10V
    3.5V @ 220μA
    770pF @ 500V
    24nC @ 10V
    800V
    ±20V
    11A
    TO-220AB
    0.45Ohm
    29A
    800V
    29 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R330P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    330mOhm @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 370μA
    1010pF @ 100V
    22nC @ 10V
    600V
    ±20V
    12A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    无卤素
    7ns
    7 ns
    20V
    600V
    1.01nF
    297mOhm
    330 mΩ
    无铅
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