Infineon Technologies IPA60R330P6XKSA1
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IPA60R330P6XKSA1
1211-IPA60R330P6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
1最小包装量--
IPA60R330P6XKSA1详情
Infineon Technologies IPA60R330P6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-FP
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
32W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P6
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
330mOhm @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 370μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1010pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
输入电容
1.01nF
漏源电阻
297mOhm
最大rds
330 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IPA60R330P6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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