IPB020N04NGATMA1备选型号: NTMFS5C423NLT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6 Tab) TO-26313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7SILICON140A Tc4V @ 95μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET167WDRAIN27 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 100A, 10V无卤素9700pF @ 20V120nC @ 10V6.4ns±20V7.8 ns140A20V40V0.002Ohm980A140 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅------
- ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN5-4.5V 10V2V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2015e3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)--Tin (Sn)-----------12 nsN-Channel-2m Ω @ 50A, 10V-3100pF @ 20V50nC @ 10V-±20V-150A20V----无SVHCROHS3 Compliant无铅Single40V2V1.95mm5.1mm6.1mm
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | 对比 |
![]() | FDD8444 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 145 A, 40 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD8444 | 对比 |
| NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |




哦! 它是空的。