Infineon Technologies IPB160N04S4H1ATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 110μA

Turn Off Delay Time

29 ns

Power Dissipation (Max)

167W Tc

Number of Elements

1

已出版

2012

系列

OptiMOS™

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6m Ω @ 100A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10920pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

137nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

160A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏极-源极导通最大电阻

0.0016Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅