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IPB034N03LGATMA1备选型号: IRLR8726TRPBF

IPB034N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263

13 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
SILICON
80A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
OptiMOS™
2008
no
不用于新设计
1 (Unlimited)
2
EAR99
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
SINGLE
鸥翼
未说明
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
94W
DRAIN
9.2 ns
N-Channel
SWITCHING
3.4m Ω @ 30A, 10V
2.2V @ 250μA
无卤素
5300pF @ 15V
51nC @ 10V
6.4ns
±20V
5.4 ns
80A
20V
30V
0.0047Ohm
400A
70 mJ
ROHS3 Compliant
含铅
-
-
-
-
-
-
-
-
IRLR8726TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
SILICON
86A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2007
-
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
-
SINGLE
鸥翼
260
30
-
R-PSSO-G2
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
75W
DRAIN
12 ns
N-Channel
SWITCHING
5.8m Ω @ 25A, 10V
2.35V @ 50μA
-
2150pF @ 15V
23nC @ 4.5V
49ns
±20V
16 ns
86A
12V
-
0.058Ohm
-
-
ROHS3 Compliant
-
e3
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
TO-252AA
30V
2.3876mm
6.7056mm
6.22mm
无
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