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IPB04N03LA备选型号: IPB05N03LA
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2003e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡逻辑电平兼容25VSINGLE鸥翼80A4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 55A, 10V2V @ 60μA3877pF @ 15V32nC @ 5V4.5ns±20V80A0.0064Ohm385A290 mJNon-RoHS Compliant含铅--- MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006e0Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)逻辑电平兼容25VSINGLE鸥翼80A4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.6m Ω @ 55A, 10V2V @ 50μA3110pF @ 15V25nC @ 5V26ns±20V80A0.0078Ohm385A190 mJNon-RoHS Compliant含铅255未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| IPB05N03LA | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | 对比 |
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