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IPB050N06NGATMA1备选型号: IRFS7540PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡雪崩 额定SINGLE鸥翼260404R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 100A, 10V4V @ 270μA6100pF @ 30V167nC @ 10V60V±20V100A20V0.0047Ohm400A60V符合RoHS标准---------- MOSFET N CH 60V 110A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON58 ns-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2007--Discontinued1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2--增强型MOSFET160WDRAINN-ChannelSWITCHING5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V-±20V110A20V---ROHS3 Compliant33.949996g1Single12 ns76ns56 ns60V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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