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IPB120N06S403ATMA2备选型号: IPB029N06N3GE8187ATMA1
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2009e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN40 nsN-Channel3.2m Ω @ 100A, 10V4V @ 120μA13150pF @ 25V160nC @ 10V10ns±20V15 ns120A20V60V0.0028Ohm480A4.4mm10mm9.25mmROHS3 Compliant无铅----- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-1.946308gSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011-yes活跃1 (Unlimited)2-鸥翼---R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN35 nsN-Channel3.2m Ω @ 100A, 10V4V @ 118μA13000pF @ 30V165nC @ 10V-±20V-120A20V-0.0032Ohm480A4.57mm10.31mm9.45mmROHS3 Compliant-EAR99SWITCHING60V235 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB86566-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
| IPB029N06N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 对比 |
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