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首页 全部分类 IPB140N08S404ATMA1 vs IPB014N06NATMA1

IPB140N08S404ATMA1备选型号: IPB014N06NATMA1

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  • JESD-30代码
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  • 上升时间
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPB140N08S404ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin TO-263 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    4.2m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 100μA
    无卤素
    5500pF @ 25V
    80nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    35 ns
    140A
    20V
    80V
    0.0042Ohm
    560A
    212 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB014N06NATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    34A Ta 180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    2.8V @ 143μA
    无卤素
    7800pF @ 30V
    106nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    14 ns
    180A
    20V
    60V
    0.0014Ohm
    -
    420 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    e3
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    3
    214W
    SWITCHING
    2.8V
    34A
    60V
    无SVHC
    无
  • 添加型号
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