注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥33.82129
10
¥31.906877
100
¥30.100829
500
¥28.397009
1000
¥26.789628
Infineon Technologies IPB140N08S404ATMA1
- 收藏
- 对比
IPB140N08S404ATMA1
1211-IPB140N08S404ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin TO-263 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB140N08S404ATMA1详情
Infineon Technologies IPB140N08S404ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
140A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
161W Tc
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
140A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
80V
漏极-源极导通最大电阻
0.0042Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
560A
雪崩能量等级(Eas)
212 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB140N08S404ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。