Infineon Technologies IPB160N08S403ATMA1
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IPB160N08S403ATMA1
1211-IPB160N08S403ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
大陆
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Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R
1最小包装量--
IPB160N08S403ATMA1详情
Infineon Technologies IPB160N08S403ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
供应商器件包装
PG-TO263-7-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
160A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
208W Tc
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7750pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
112nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
160A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
80V
输入电容
7.75nF
最大rds
3.2 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB160N08S403ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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