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首页 全部分类 IPB147N03LGATMA1 vs FDB6030L

IPB147N03LGATMA1备选型号: FDB6030L

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 电阻
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPB147N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    4
    SILICON
    12 ns
    2.2V @ 250μA
    2011
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    31W
    DRAIN
    3.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.7m Ω @ 20A, 10V
    1000pF @ 15V
    10nC @ 10V
    2.4ns
    30V
    ±20V
    2 ns
    20A
    20V
    30V
    20 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB6030L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    48A Ta
    3V @ 250μA
    2012
    -65°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    52W
    -
    -
    N-Channel
    -
    13m Ω @ 26A, 10V
    1250pF @ 15V
    18nC @ 5V
    12ns
    -
    ±20V
    12 ns
    48A
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    1.31247g
    13MOhm
    52A
    Single
    30V
    无铅
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FDB6030L FDB6030L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK 对比