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首页 全部分类 IPB180N04S302ATMA1 vs IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB180N04S302ATMA1备选型号: IPB160N04S4LH1ATMA1

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPB180N04S302ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    1.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 230μA
    无卤素
    14300pF @ 25V
    210nC @ 10V
    ±20V
    180A
    20V
    40V
    720A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB160N04S4LH1ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin TO-263 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    1.5m Ω @ 100A, 10V
    2.2V @ 110μA
    无卤素
    14950pF @ 25V
    190nC @ 10V
    +20V, -16V
    160A
    20V
    40V
    640A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    7
    yes
    16 ns
    20ns
    65 ns
    0.0015Ohm
    400 mJ
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