STMicroelectronics STH320N4F6-6
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STH320N4F6-6
2381-STH320N4F6-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
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In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
--最小包装量--
STH320N4F6-6详情
STMicroelectronics STH320N4F6-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
190 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STH320
元素配置
Single
功率耗散
300W
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.3m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13800pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
240nC @ 10V
上升时间
98ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
95 ns
连续放电电流(ID)
200A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
高度
4.8mm
长度
15.25mm
宽度
10.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STH320N4F6-6拓展信息
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