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首页 全部分类 IPB180N04S302ATMA1 vs STH270N4F3-6

IPB180N04S302ATMA1备选型号: STH270N4F3-6

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 引脚数
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPB180N04S302ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    1.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 230μA
    无卤素
    14300pF @ 25V
    210nC @ 10V
    ±20V
    180A
    20V
    40V
    720A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STH270N4F3-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    鸥翼
    245
    -
    -
    R-PSSO-G6
    -
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    1.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    7400pF @ 25V
    150nC @ 10V
    ±20V
    180A
    20V
    -
    720A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8
    1.7MOhm
    STH270
    7
    Single
    25 ns
    SWITCHING
    180ns
    45 ns
    2V
    40V
    4.8mm
    15.25mm
    10.4mm
    无SVHC
    无
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