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首页 全部分类 IPB180N04S400ATMA1 vs IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N04S400ATMA1备选型号: IPB180N03S4LH0ATMA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPB180N04S400ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    180A Tc
    4V @ 230μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    53 ns
    N-Channel
    0.98m Ω @ 100A, 10V
    无卤素
    22880pF @ 25V
    286nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    58 ns
    180A
    20V
    40V
    0.00098Ohm
    1250 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB180N03S4LH0ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    180A Tc
    2.2V @ 200μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    0.95m Ω @ 100A, 10V
    无卤素
    23000pF @ 25V
    300nC @ 10V
    7ns
    ±16V
    25 ns
    180A
    16V
    30V
    0.00095Ohm
    980 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
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