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IPB180N10S402ATMA1备选型号: IPB180N08S402ATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 无铅代码
- 附加功能
- 端子位置
- 配置
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6 Tab) D2PAK T/R14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)SILICON180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G6Single增强型MOSFET300WDRAIN15 nsN-Channel2.5m Ω @ 100A, 10V3.5V @ 275μA无卤素14600pF @ 25V200nC @ 10V9ns±20V40 ns180A20V100V0.0025Ohm720AROHS3 Compliant含铅------- MOSFET N-CH TO263-714 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)SILICON180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013-活跃1 (Unlimited)6EAR99-鸥翼未说明-未说明R-PSSO-G6-增强型MOSFET-DRAIN30 nsN-Channel2.2m Ω @ 100A, 10V4V @ 220μA无卤素11550pF @ 25V167nC @ 10V15ns±20V-180A20V80V0.0022Ohm-ROHS3 Compliant含铅7yes超低电阻SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE640 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH310N10F7-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | 对比 |
| STH315N10F7-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V | 对比 |
| IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH TO263-7 | 对比 |
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