STMicroelectronics STH310N10F7-6
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STH310N10F7-6
2381-STH310N10F7-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
--最小包装量--
STH310N10F7-6详情
STMicroelectronics STH310N10F7-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
315W Tc
Turn Off Delay Time
148 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电阻
终端形式
鸥翼
基本部件号
STH310
JESD-30代码
R-PSSO-G6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
315W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
62 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
180nC @ 10V
上升时间
108ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
3.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
120A
漏极-源极导通最大电阻
0.0025Ohm
漏源击穿电压
100V
高度
4.8mm
长度
15.25mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STH310N10F7-6拓展信息
STMicroelectronics
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