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首页 全部分类 IPB180P04P403ATMA1 vs IRFS7534TRLPBF

IPB180P04P403ATMA1备选型号: IRFS7534TRLPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPB180P04P403ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    180A Tc
    4V @ 410μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2002
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    48 ns
    P-Channel
    2.8m Ω @ 100A, 10V
    无卤素
    17640pF @ 25V
    250nC @ 10V
    31ns
    40V
    ±20V
    81 ns
    180A
    20V
    -40V
    0.0028Ohm
    -40V
    90 mJ
    4.4mm
    10mm
    9.25mm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7534TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    3
    SILICON
    118 ns
    3.7V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 100A, 10V
    -
    10034pF @ 25V
    279nC @ 10V
    134ns
    -
    ±20V
    93 ns
    195A
    20V
    -
    0.0024Ohm
    60V
    775 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    1
    SWITCHING
    3.7V
    944A
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