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IPB45N06S4L08ATMA1备选型号: IRFZ44NSTRLPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON45A Tc2.2V @ 35μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2009Discontinued1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN9 nsN-Channel7.9m Ω @ 45A, 10V无卤素4780pF @ 25V64nC @ 10V2ns±16V8 ns45A16V60V0.0079Ohm180A97 mJROHS3 Compliant含铅------------------------ MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON49A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2000活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼26030R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN12 nsN-Channel17.5m Ω @ 25A, 10V-1470pF @ 25V63nC @ 10V60ns±20V45 ns49A20V----ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksTine3SMD/SMT17.5mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55V49A1Single110WSWITCHING2V55V55V95 ns175°C4 V9.65mm10.668mm5.084mm无无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB20AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB | 对比 |
| HUFA75329S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
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